特種氣體（特氣）管路的五項(xiàng)測試通常包括壓力測試、氦檢漏測試、顆粒度分析、水分含量分析以及氧分含量分析。

這些測試是為了確保管路系統(tǒng)的安全性、密封性和氣體純度，滿足高科技產(chǎn)業(yè)如半導(dǎo)體制造的要求。以下是各測試的標(biāo)準(zhǔn)概述：

1. 保壓測試（壓力測試）

    測試目的：驗(yàn)證管道系統(tǒng)在設(shè)定的壓力下沒有泄漏點(diǎn)。

    測試規(guī)則：測試壓力應(yīng)為正常使用壓力的1.15倍或7至9公斤之間，持續(xù)時間至少0.5小時，觀察是否有壓降現(xiàn)象。

2. 氦檢漏測試

    測試目的：檢測非常小的泄漏路徑，保證系統(tǒng)的密封性。

    標(biāo)準(zhǔn)要求：對于高純度氣體，要求管道的漏率在每秒10^10立方厘米（cc）以下，一般情況下要求達(dá)到1.010^9 cc.atm/sec以上。

3. 顆粒度分析（Particle Analyzer）

    測試目的：測量氣體中的顆粒物濃度，以避免對工藝流程的影響。

    測試規(guī)格值：常見的監(jiān)控范圍有0.1, 0.2, 0.3, 0.5, 1.0, 2.0, 3.0, 5.0微米(μm)。

4. 水分含量分析（Moisture Analyzer）

    測試目的：控制氣體中的水分含量，防止與晶片發(fā)生化學(xué)反應(yīng)影響產(chǎn)品質(zhì)量。

    標(biāo)準(zhǔn)要求：含水量應(yīng)降至50ppb（parts per billion，十億分之一）以下。

5. 氧分含量分析（Oxygen Analyzer）

    測試目的：限制氣體中氧氣的含量，因?yàn)檠鯕饪赡芘c硅材料反應(yīng)生成二氧化硅，從而影響晶片厚度和質(zhì)量。

    標(biāo)準(zhǔn)要求：氧分含量應(yīng)控制在0.05ppm（parts per million，百萬分之一）以下。

這些測試通常需要依據(jù)特定的技術(shù)規(guī)范進(jìn)行，比如GB 506462011《特種氣體系統(tǒng)工程技術(shù)規(guī)范》等國家標(biāo)準(zhǔn)或其他行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。每個項(xiàng)目的具體實(shí)施步驟、條件和評判準(zhǔn)則可能會因應(yīng)用場景的不同而有所差異。

在實(shí)際操作中，還需要考慮溫度補(bǔ)償?shù)纫蛩兀源_保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。